| 產品型號：TMR2102 |
| 磁阻結構：全橋 |
| 供電電壓：0 V～7 V |
| 靈敏度（mV/V/Gs）：4.9 |
| 電阻（kΩ）：90/45 |
| 飽和場（Gs）：±90 |
| 敏感方向：X軸 |
| 磁滯（Gs）：0.1 |
| 本底噪聲（nT/rt(Hz) @1Hz）：～10 |
| 封裝形式：SOP8 DFN8L |
| 交付周期：In stock |
產品概述 | |
TMR2102 采用了一個獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計，包含四個非屏蔽高靈敏度 TMR 傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩定性。TMR2102 性能優越，采用兩種封裝形式：DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 和 SOP8。 |  DFN8L SOP8 |
產品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技術 | 高靈敏度 |
| 寬動態范圍 | 低功耗 |
| 優越的溫度穩定性 | 極低的磁滯 |
| 寬工作電壓范圍 | 符合 RoHS & REACH |
典型應用 | |
| 磁力計 | 電流傳感器 |
| 角度傳感器 | 位置傳感器 |
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