| 產品型號：TMR2103 |
| 磁阻結構：全橋 |
| 供電電壓：0 V～7 V |
| 靈敏度（mV/V/Gs）：6 |
| 電阻（kΩ）：50 |
| 飽和場（Gs）：±75 |
| 敏感方向：X軸 |
| 磁滯（Gs）：0.3 |
| 本底噪聲（nT/rt(Hz) @1Hz）：～10 |
| 封裝形式：SOT23-5 SOP8 DFN8L |
| 交付周期：In stock |
產品概述 | |
TMR2103 系列線性磁傳感器芯片采用了一個獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計，包含四個非屏蔽高靈敏度 TMR 傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩定性。 TMR2103 系列線性芯片性能優越，采用了三種封裝形式：SOP8、SOT23-5 和 DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm)。 |  SOT23-5 DFN8L SOP8 |
產品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技術 | 高靈敏度 |
| 寬動態范圍 | 低功耗 |
| 優越的溫度穩定性 | 極低的磁滯 |
| 寬工作電壓范圍 | 符合 RoHS & REACH |
典型應用 | |
| 磁力計 | 電流傳感器 |
| 角度傳感器 | 位置傳感器 |
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