產品概述 | |
TMR3026 角度傳感器芯片采用兩組冗余的惠斯通電橋結構設計，每組惠斯通電橋包括四個高靈敏度隧道磁阻 (TMR) 傳感器元件，組成兩組半橋結構，分別輸出 SIN 單端電壓和 COS 單端電壓。TMR 惠斯通電橋結構有效地補償了傳感器的溫度漂移。 在角度傳感器的應用場合下，在 TMR3026 角度芯片上方放置一塊磁鐵以提供平行于芯片表面方向的工作磁場，當磁鐵旋轉時，芯片輸出與磁場角度成正弦和余弦關系的電壓信號。 TMR3026 芯片的冗余設計提升了應用系統安全性，當磁場范圍在 200 Gs ~ 800 Gs 范圍內變化時，它可以保持很低的角度誤差。該芯片采用 SOP8 封裝。 |  SOP8 |
產品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技術 | 寬工作電壓范圍 |
| 兩組冗余的 SIN/COS 單端電壓輸出 | 良好的溫度穩定性 |
| 優越的抗環境磁場性能 | 四組半橋，單芯片冗余 |
| AEC-Q100 評估中 | 符合 RoHS & REACH |
典型應用 | |
| 絕對值角度位置檢測 | EPS 電機軸角度位置檢測 |
| 方向盤角度位置檢測 | 踏板位置檢測 |
| 節氣門位置檢測 | |
